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參數資料
| 型號： | IRFR420PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的RDS（on）\u003d 3.0ヘ，身份證\u003d 2.4?） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 865K |
| 代理商： | IRFR420PBF |
www.irf.com
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Lead-Free
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU420PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A ) |
| IRFR420 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) |
| IRFR48Z | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFU48Z | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRFR5305PBF | LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR420T_R4941 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420TM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA |
| IRFR420TR | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420TRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR420TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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