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參數資料
型號: IRFR430ATR
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直| 5A條(?。﹟對252AA
文件頁數: 6/10頁
文件大?。?/td> 111K
代理商: IRFR430ATR
IRFR430A/IRFU430A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.2A
3.2A
5.0A
TOP
BOTTOM
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature (
°
C )
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
VG
ID = 250μA
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Temperature
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PDF描述
IRFR9121 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-252
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IRFU9211 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251AA
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IRFR430ATRR 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR430ATRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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