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參數資料
| 型號： | IRFR9020 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| 中文描述： | 重復性雪崩和DV /受好評的HEXFET三極管胸苷 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | IRFR9020 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9020 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| IRFU9022 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| IRFR9022 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| IRFR9024PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A ) |
| IRFU9024PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A ) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR9020A-TF | 制造商:MAJOR 功能描述: |
| IRFR9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9020TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9020TRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9020TRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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