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參數資料
| 型號： | IRFR9110 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 100V的，的Rds（on）\u003d 1.2ohm，身份證\u003d- 3.1A） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRFR9110 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU9120 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
| IRFR9120 | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) |
| IRFV360 | REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTOR |
| IRFY044CM | 60V 0.040Ω N-Channel HEXFET Power MOSFET(60V 0.040Ω N溝道 HEXFET 功率 MOS場效應管) |
| IRFY140CM | 100 Volt, 0.077Ω,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100 V, 0.077Ω,N溝道 HEXFET 功率 MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFR91109A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFR9110PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR9110TF | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRFR9110TM | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| IRFR9110TR | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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