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參數(shù)資料
| 型號： | IRFS141 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 19.4A I(D) | SOT-186VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 19.4AI（四）|的SOT - 186VAR |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 151K |
| 代理商： | IRFS141 |
IRFS11N5OA
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
Q , Total Gate Charge (nC)
20
30
40
50
0
4
8
12
16
20
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
11A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
0
400
800
1200
1600
2000
2400
1
10
100
1000
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
10
100
1000
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS151 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS1Z3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 750MA I(D) | TO-243AA |
| IRFS240 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 12.5A I(D) | SOT-186VAR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFS150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR |
| IRFS150A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFS151 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 27.7A I(D) | SOT-186VAR |
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| IRFS17N20DHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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