- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360941 > IRFS30N20DTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFS30N20DTRR |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 30A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | IRFS30N20DTRR |
IRFB/IRFS/IRFL30N20D
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
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PDF描述 |
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| IRFS3107TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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