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參數資料
型號: IRFS31N20D
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 200V的電壓,的Rds(on)最大值\u003d 0.082ohm,身份證\u003d 31A條)
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 190K
代理商: IRFS31N20D
Parameter
Max.
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
10 lbfin (1.1Nm)
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
www.irf.com
1
2/14/00
IRFB31N20D
IRFS31N20D
IRFSL31N20D
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.082
l
High frequency DC-DC converters
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
V
DSS
200V
I
D
31A
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V Input Forward Converters
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 11
D
2
Pak
IRFS31N20D
TO-220AB
IRFB31N20D
TO-262
IRFSL31N20D
PD- 93805B
相關PDF資料
PDF描述
IRFSL31N20D Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.082ohm, Id=31A)
IRFS3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRFSL3207ZPbF HEXFET Power MOSFET
IRFS3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
IRFSL3306PBF High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFS31N20DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRFS31N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 82mOhms 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFS31N20DTRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFS31N20DTRLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 31A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFS31N20DTRLP 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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