- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360948 > IRFS9Z34 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRFS9Z34 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 60V的五（巴西）直| 12A條（丁）|的SOT - 186 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | IRFS9Z34 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFSL11N50 | |
| IRFSL11N50A | N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRFSZ14A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRFSZ20 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186 |
| IRFSZ24 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13A I(D) | SOT-186 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFSL11N50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRFSL11N50A | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL11N50APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL17N20D | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL17N20DPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。