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參數(shù)資料
| 型號： | IRFSL31N20DPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A ) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的RDS（on）最大值\u003d 0.082ヘ，身份證\u003d 31A條） |
| 文件頁數(shù)： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 300K |
| 代理商： | IRFSL31N20DPBF |
www.irf.com
1
MOSFET
HEXFET Power MOSFET
High Frequency DC-DC converters
Lead-Free
Applications
Low Gate to Drain to Reduce Switching
Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective COSS to Simplify Design,(See
AN 1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.082
I
D
31A
Telecom 48V Input DC/DC Active Clamp Reset Forward Converter
Notes
through
are on page 11
D
2
Pak
IRFS31N20DPbF
TO-220AB
IRFB31N20DPbF
TO-262
IRFSL31N20DPbF
Parameter
Max.
31
21
124
3.1
200
1.3
± 30
2.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
10 lbfin (1.1Nm)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS3207PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFSL3207PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRFS3307ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IRFSL31N20DTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 31A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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| IRFSL3207PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢Power MOSFET |
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