- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384498 > IRFSL4410ZPBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFSL4410ZPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 851K |
| 代理商： | IRFSL4410ZPBF |
06/01/07
www.irf.com
1
HEXFET Power MOSFET
S
D
G
Benefits
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche
SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Lead-Free
Applications
High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
Hard Switched and High Frequency Circuits
D
2
Pak
IRFS4410ZPbF
TO-220AB
IRFB4410ZPbF
TO-262
IRFSL4410ZPbF
S
D
G
S
D
G
S
D
G
D
D
D
IRFB4410ZPbF
IRFS4410ZPbF
IRFSL4410ZPbF
G
D
S
Gate
Drain
Source
V
DSS
R
DS(on)
typ.
max.
I
D (Silicon Limited)
I
D (Package Limited)
100V
7.2m
9.0m
97
75A
Absolute Maximum Ratings
Symbol
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Parameter
Units
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V (Package Limited)
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case)
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Avalanche Characteristics
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
Thermal Resistance
Symbol
Parameter
R
θ
JC
Junction-to-Case
R
θ
CS
Case-to-Sink, Flat Greased Surface , TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient, TO-220
R
θ
JA
Junction-to-Ambient (PCB Mount) , D
2
Pak
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
mJ
A
mJ
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.65
–––
62
40
Units
°C/W
300
Max.
97
69
75
390
230
1.5
242
See Fig. 14, 15, 22a, 22b,
16
-55 to + 175
± 20
10lb in (1.1N m)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFS9N60APBF | SMPS MOSFET |
| IRFS9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFSL9N60A | SMPS MOSFET |
| IRFU024 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRFR024 | HEXFET POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFSL4510PBF | 功能描述:MOSFET N CH 100V TO262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL4610 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 73A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFSL4610PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL4615PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFSL4615PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 150V 33A 42 mOhm 26 nC Qg TO 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 150V, 33A, TO-262 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。