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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFR024 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 172K |
| 代理商： | IRFR024 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFU110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFR110 | 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFU120N | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR120N | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU13N15D | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.18ohm, Id=14A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFR024_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFR024A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA |
| IRFR024N | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| IRFR024NPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 75mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFR024NTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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