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參數(shù)資料
型號: IRFU13N20DPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: Replacement for Texas Instruments part number SN74LS12N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述: MOSFET的開關電源(減振鋼板基本\u003d 200V的電壓,的RDS(on)最大值\u003d 0.235ヘ,身份證\u003d 13A條)
文件頁數(shù): 1/11頁
文件大?。?/td> 693K
代理商: IRFU13N20DPBF
www.irf.com
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IRFR13N20DPbF
IRFU13N20DPbF
SMPS MOSFET
相關PDF資料
PDF描述
IRFU2307ZPBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU2407PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU24N15DPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFU2905ZPBF 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFU310PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=3.6ヘ , ID=1.7A )
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU15N20D 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRFU15N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 165mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU18N15D 功能描述:MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU18N15DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 150V, 18A, 125 MOHM, 28 NC QG, I-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN IPAK - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 150V 18A I-PAK
IRFU1920 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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