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參數資料
| 型號： | IRFU3911PbF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關電源 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | IRFU3911PBF |
www.irf.com
1
12/06/04
IRFR3911PbF
IRFU3911PbF
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
0.115
SMPS MOSFET
V
DSS
100V
I
D
14A
Parameter
Max.
14
9.5
56
56
0.37
± 20
7.1
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through are on page 10
D-Pak
IRFR3911
I-Pak
IRFU3911
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
2.7
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
PD - 95373A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR4105PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU4105PbF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR430APBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU430APBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR6215PBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU410 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFU4104 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFU4104-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU4104PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU4105 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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