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參數資料
| 型號： | IRFU410 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 1.5 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大小： | 55K |
| 代理商： | IRFU410 |
4-401
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
Intersil Corporation 1999
IRFR410, IRFU410
1.5A, 500V 7.000 Ohm, N-Channel Power
MOSFETs
These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power field effect transistors. They are advanced power
MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
specified level of energy in the breakdown avalanche mode
of operation. All of these power MOSFETs are designed for
applications such as switching regulators, switching
convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high
power bipolar switching transistors requiring high speed and
low gate drive power. These types can be operated directly
from integrated circuits.
Formerly developmental type TA17445.
Features
1.5A, 500V
r
DS(ON)
= 7.000
Single Pulse Avalanche Energy Rated
SOA is Power Dissipation Limited
Nanosecond Switching Speeds
High Input Impedance
150
o
C Operating Temperature
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
Symbol
Packaging
Ordering Information
PART NUMBER
PACKAGE
BRAND
IRFU410
TO-251AA
IFU410
IRFR410
TO-252AA
IFR410
NOTE:
When ordering, use the entire part number.
G
D
S
JEDEC TO-251AA
JEDEC TO-252AA
GATE
SOURCE
DRAIN
DRAIN (FLANGE)
DRAIN (FLANGE)
GATE
SOURCE
Data Sheet
July 1999
File Number
3372.2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR410 | 1.5A, 500V, 7.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(1.5A, 500V, 7.000 Ω N溝道MOSFET) |
| IRFZ20 | HEXFET TRANSISTORS |
| IRFZ22 | HEXFET TRANSISTORS |
| IRFZ24L | HEXFET Power MOSFET |
| IRFZ24S | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU4104 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A) |
| IRFU4104-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU4104PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU4105 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU4105PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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