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參數資料
| 型號： | IRFU9014PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 1849K |
| 代理商： | IRFU9014PBF |
www.irf.com
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IRFR9014PbF
IRFU9014PbF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
| IRFU9024NPBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ヘ , ID = -11A ) |
| IRFR9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFu9110PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRFR9110 | 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFU9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9020TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU9022 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| IRFU9022PBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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