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參數資料
| 型號： | IRFW610A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 3.3AI（四）|對263AB |
| 文件頁數： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 224K |
| 代理商： | IRFW610A |
IRFW/I634A
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0
10
20
30
40
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
400
800
1200
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
V
DS
= 200 V
V
DS
= 125 V
V
DS
= 50 V
@ Notes : I
D
= 8.1 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFW614A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-263AB |
| IRFW630A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
| IRFW640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRFW644A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| IRFI640A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFW610B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V N-Channel MOSFET |
| IRFW610BTM | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| IRFW610BTM_FP001 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFW610BTMFP001 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRFW614A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-263AB |
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