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參數資料
| 型號： | IRFZ25 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直|第14A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | IRFZ25 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor(N溝道增強型 TrenchMOS 晶體管) |
| IRFZ44N | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44NS | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| IRFZ44 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRFZ30 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ30PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ32 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
| IRFZ34 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ34_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
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