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參數資料
型號: IRFZ44
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 17.5mohm,身份證\u003d 49A條)
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 64K
代理商: IRFZ44
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 49 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
.5
1
1.5
2
2.5
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
5
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ46S
IRFZ48L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RS 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFZ48S
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參數描述
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IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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