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參數(shù)資料
型號: IRFZ44
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 17.5mohm,身份證\u003d 49A條)
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 64K
代理商: IRFZ44
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 2 g
Fig.18. SOT78 (TO220AB); pin 2 connected to mounting base.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to mounting instructions for SOT78 (TO220) envelopes.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
10,3
max
3,7
2,8
3,0
3,0 max
not tinned
1,3
max
(2x)
1 2 3
2,4
0,6
4,5
max
5,9
min
15,8
max
1,3
2,54 2,54
0,9 max (3x)
13,5
min
February 1999
7
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ46S
IRFZ48L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262
IRFZ48RS 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
IRFZ48S
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFZ44A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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