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參數資料
| 型號： | IRFZ44EPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | IRFZ44EPBF |
IRFZ44EPbF
HEXFET
Power MOSFET
PD - 94822
11/10/03
Parameter
Max.
48
34
192
110
0.71
± 20
220
29
11
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
1.4
–––
62
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
1
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design
that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with
an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial
applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low
thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide
acceptance throughout the industry.
Description
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 0.023
I
D
= 48A
S
D
G
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
TO-220AB
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44NPBF | HEXFET-R Power MOSFET |
| IRFZ44VZLPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A ) |
| IRFZ44VZPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A ) |
| IRFZ44VZSPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A ) |
| IRFZ48NlPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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