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參數資料
型號: IRFZ44VZPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
中文描述: ㈢的HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 60V的,的RDS(on)\u003d 12米ヘ,身份證\u003d 57A條)
文件頁數: 1/13頁
文件大小: 359K
代理商: IRFZ44VZPBF
www.irf.com
1
AUTOMOTIVE MOSFET
PD - 95947
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
= 60V
R
DS(on)
= 12m
I
D
= 57A
Specifically designed for Automotive applications,
this HEXFET
Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve extremely low on-
resistance per silicon area. Additional features of
this design are a 175°C junction operating tempera-
ture, fast switching speed and improved repetitive
avalanche rating . These features combine to make
this design an extremely efficient and reliable device
for use in Automotive applications and a wide variety
of other applications.
S
D
G
Description
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free
Features
IRFZ44VZPbF
IRFZ44VZSPbF
IRFZ44VZLPbF
D
2
Pak
IRFZ44VZSPbF
TO-220AB
IRFZ44VZPbF
TO-262
IRFZ44VZLPbF
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C Power Dissipation
Linear Derating Factor
V
GS
Gate-to-Source Voltage
E
AS (Thermally limited)
Single Pulse Avalanche Energy
E
AS
(Tested )
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
Thermal Resistance
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
(Silicon Limited)
A
Pulsed Drain Current
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
°C
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.64
–––
62
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf in (1.1N m)
92
0.61
± 20
73
Max.
57
40
230
110
See Fig.12a, 12b, 15, 16
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44VZSPBF HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12mヘ , ID = 57A )
IRFZ48NlPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ48NSPBF HEXFET Power MOSFET
IRFZ48PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
IRFZ48RSPBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 0.018ヘ , ID = 50A )
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFZ44VZSTRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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