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參數(shù)資料
型號: IRFZ44VSTRL
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 55A條(丁)|對263AB
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大小: 358K
代理商: IRFZ44VSTRL
IRFZ46S/L
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
相關PDF資料
PDF描述
IRFZ44VSTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB
IRFZ46L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA
IRFZ48 N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ48N N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
IRFZ48NS Advanced Process Technology
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44VSTRLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 60V, 55A, 16.5 MOHM, 44.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 55A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRFZ44VSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VSTRRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFZ44VZ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44VZL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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