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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFZ48N |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 64 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | IRFZ48N |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ48N
GENERAL DESCRIPTION
QUICK REFERENCE DATA
N-channel
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using
’
trench
’ technology.
featuresverylow on-state resistance
and has integral zener diodes giving
ESD protection up to 2kV. It is
intended for use in switched mode
power supplies and general purpose
switching applications.
enhancement
mode
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
P
tot
T
j
R
DS(ON)
Drain-source voltage
Drain current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Drain-source on-state
resistance
55
64
140
175
16
V
A
W
C
m
The
device
V
GS
= 10 V
PINNING - TO220AB
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PIN
DESCRIPTION
1
gate
2
drain
3
source
tab
drain
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
SYMBOL
V
DS
V
DGR
±
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
, T
j
PARAMETER
Drain-source voltage
Drain-gate voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC)
Drain current (DC)
Drain current (pulse peak value)
Total power dissipation
Storage & operating temperature
CONDITIONS
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
MIN.
-
-
-
-
-
-
-
- 55
MAX.
55
55
20
64
45
210
140
175
UNIT
V
V
V
A
A
A
W
C
ESD LIMITING VALUE
SYMBOL
V
C
PARAMETER
Electrostatic discharge capacitor
voltage, all pins
CONDITIONS
Human body model
(100 pF, 1.5 k
)
MIN.
-
MAX.
2
UNIT
kV
THERMAL RESISTANCES
SYMBOL
R
th j-mb
PARAMETER
Thermal resistance junction to
mounting base
Thermal resistance junction to
ambient
CONDITIONS
-
TYP.
-
MAX.
1.1
UNIT
K/W
R
th j-a
in free air
60
-
K/W
d
g
s
1 2 3
tab
February 1999
1
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ48NS | Advanced Process Technology |
| IRFZ48 | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48R | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.018ohm, Id=50*A) |
| IRFZ48VS | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=72A) |
| IRG41BC30UD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ48NL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ48NLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ48NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 64A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFZ48NPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor RoHS Compliant:Yes |
| IRFZ48NS | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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