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參數資料
型號: IRG41BC30UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 8.9AI(丙)|至220FP
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 262K
代理商: IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
UltraFast CoPack IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
Features
2.5kV, 60s insulation voltage
4.8 mm creapage distance to heatsink
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200
kHz in resonant mode
IGBT co-packaged with HEXFRED
TM
ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
Tighter parameter distribution
Industry standard Isolated TO-220 Fullpak
TM
outline
E
G
n-channel
C
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 1.95V
@V
GE
= 15V, I
C
= 12A
7/17/2000
PD91753A
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
Max.
2.8
4.1
65
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case - IGBT
Junction-to-Case - Diode
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
TO-220 FULLPAK
1
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
RMS Isolation Voltage, Terminal to Case
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.
Max.
600
17
8.9
92
92
8.5
92
2500
± 20
45
18
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25
°
C
I
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100
°
C
I
FM
Visol
V
GE
P
D
@ T
C
= 25
°
C
P
D
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
STG
A
V
-55 to +150
°
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbf
in (1.1 N
m)
Absolute Maximum Ratings
W
Benefits
Simplified assembly
Highest efficiency and power density
HEXFRED
TM
antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRG4BAC50S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W-S 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BAC50W-SPBF 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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