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參數資料
| 型號： | IRG41BC30UD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 8.9AI（丙）|至220FP |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 262K |
| 代理商： | IRG41BC30UD |
IRG4IBC30UD
www.irf.com
7
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
0
200
400
600
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
10
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 12A
I = 24A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0
40
80
120
160
100
1000
dif
t
r
I = 24A
I = 12A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125
°
C
T = 25
°
C
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BAC50S | |
| IRG4BAC50U | |
| IRG4BAC50W | |
| IRG4BC10SD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
| IRG4BC10SD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4BAC50S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRG4BAC50U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| IRG4BAC50W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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| IRG4BAC50W-SPBF | 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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