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參數(shù)資料
型號: IRG41BC30UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展| 8.9AI(丙)|至220FP
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 262K
代理商: IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
6
www.irf.com
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
1
10
100
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
I , Collector-to-Emitter Current (A)
A
R = 23
T = 150
°
C
V = 480V
V = 15V
GE
T
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BAC50S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W-S 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BAC50W-SPBF 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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