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參數(shù)資料
型號(hào): IRG41BC30UD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 8.9AI(丙)|至220FP
文件頁數(shù): 9/10頁
文件大?。?/td> 262K
代理商: IRG41BC30UD
IRG4IBC30UD
www.irf.com
9
Vg
GATE SIG NAL
DEVICE UNDER TEST
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
D.U.T.
V *
50V
L
1000V
6000μF
100V
Figure 19. Clamped Inductive Load Test Circuit
Figure 20. Pulsed Collector Current
Test Circuit
R
L
=
480V
4 X I
C
@25
°
C
0 - 480V
Figure 18e. Macro Waveforms for
Figure 18a's
Test Circuit
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4BAC50S
IRG4BAC50U
IRG4BAC50W
IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4BAC50S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50U 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
IRG4BAC50W-S 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4BAC50W-SPBF 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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