型號(hào): | IRG41BC30UD |
英文描述: | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8.9A I(C) | TO-220FP |
中文描述: | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國(guó)際消費(fèi)電子展| 8.9AI(丙)|至220FP |
文件頁數(shù): | 9/10頁 |
文件大?。?/td> | 262K |
代理商: | IRG41BC30UD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRG4BAC50S | |
IRG4BAC50U | |
IRG4BAC50W | |
IRG4BC10SD | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
IRG4BC10SD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4BAC50S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
IRG4BAC50U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
IRG4BAC50W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
IRG4BAC50W-S | 功能描述:DIODE IGBT 600V SUPER 220 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
IRG4BAC50W-SPBF | 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |