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參數資料
型號: IRFZ46N
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=16.5mohm, Id=53A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 55V的,的Rds(on)\u003d 16.5mohm,身份證\u003d 53A條)
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 263K
代理商: IRFZ46N
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www.irf.com
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相關PDF資料
PDF描述
IRFZ46NSTRL HEXFET POWER MOSFET
IRFZ46Z AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ46ZL AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ46ZS AUTOMOTIVE MOSFET
IRFZ48NPBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFZ46N_04 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5mヘ,ID = 53A)
IRFZ46NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ46NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ46NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 46A 16.5mOhm 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFZ46NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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