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參數資料
型號: IRG4BC10SD-STRL
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展|第14A一(c)|至263AB
文件頁數: 4/8頁
文件大小: 135K
代理商: IRG4BC10SD-STRL
IRG4BAC50S
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
20.5
I = A
41
I = A
82
0
20
40
60
80
25
50
75
100
125
150
M
T , Case Temperature (°C)
V = 15V
LIMITED BY PACKAGE
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC10SD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20UD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20UD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRG4BC10SD-STRR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
IRG4BC10SPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC10UD 制造商:International Rectifier 功能描述:SEMICONDUCTOR ((NS))
IRG4BC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4BC10UDPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT
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