- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360951 > IRG4BC10SD TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4BC10SD |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|第14A一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | IRG4BC10SD |
IRG4BAC50S
6
www.irf.com
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 480V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC10SD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC10SD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20MD-STRR | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB |
| IRG4BC20UD-STRL | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 6.5A I(C) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRG4BC10SD-S | 功能描述:DIODE IGBT 600V 14A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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