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參數資料
型號: IRG4BC10SD
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五(巴西)國際消費電子展|第14A一(c)| TO - 220AB現有
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代理商: IRG4BC10SD
IRG4BAC50S
www.irf.com
7
480V
4
X
I
C
@
25°C
D.U.T.
50V
L
V *
* Driver same type as D.U.T.; Vc = 80% of Vce(max)
* Note: Due to the 50V power supply, pulse width and inductor
will increase to obtain rated Id.
1000V
Fig. 13a
-
Clamped Inductive
Load Test Circuit
Fig. 13b
-
Pulsed Collector
Current Test Circuit
480μF
960V
0 - 480V
R
L
=
Fig. 14b
-
Switching Loss
Waveforms
50V
Driver*
1000V
D.U.T.
I
C
C
V
L
Fig. 14a
-
Switching Loss
Test Circuit
* Driver same type
as D.U.T., VC = 480V
相關PDF資料
PDF描述
IRG4BC10SD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
IRG4BC10SD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 14A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
IRG4BC20MD-STRR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 11A I(C) | TO-263AB
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參數描述
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