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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC30FD1PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fast CoPack IGBT |
| 中文描述： | IGBT的快速CoPack |
| 文件頁數(shù)： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 426K |
| 代理商： | IRG4BC30FD1PBF |
IRG4BC30FD1PbF
Fast CoPack IGBT
PD - 95614
www.irf.com
1
TO-220AB
=
E
G
n-channel
C
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
HYPERFAST DIODE
Features
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6
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4)+ 05
**#
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
600
31
17
120
120
8
16
±20
100
42
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C Maximum Power Dissipation
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Storage Temperature Range, for 10 sec.
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw
Thermal / Mechanical Characteristics
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)
Clamped Inductive Load current
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
Gate-to-Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
A
V
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbf·in (1.1 N·m)
Parameter
Min.
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
–––
0.50
–––
2.0 (0.07)
Max.
1.2
2.0
–––
80
–––
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case- IGBT
Junction-to-Case- Diode
Case-to-Sink, flat, greased surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
g (oz.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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