- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377516 > IRG4IBC30KDPBF (International Rectifier) Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4IBC30KDPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Replacement for Texas Instruments part number SN74LS151N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics. |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | IRG4IBC30KDPBF |
!
%!!&'!
"#
"#
$
(!
)*!
(!+,)*!
-./.!
1+-22
3
*(%
*(%
6%7!
-%1
-!%29
+<2"+"
"#
0
4
+,
+,
#
5
8
":":;9;
-*
=9>
:>;
/
1
θ
1
θ
1
θ
/
www.irf.com
73@
7(!
7$=2C%D
/.
AAA
AAA
5
"
B/
AAA
:;
AAA
:E;
Features
>F.*.%!%E!9%DFE
*.*
>-.102
>3#3@!%&!.
%!=!..99C.
%&
>3@%D!*.FG)1(
9
=!9
>!C!!6)H'' $I
>'!)
E
G
n-channel
C
=
!
92
&C%!!9
>3#3@99..99&=
,E.%*!C9.C
>3@J%E!9%9%%!
>FG)1(
+E!&C.!+
>(!,!.%*.!%=C9
<&!C!!3@
!!%E!9%9*.3@
TO-220 FULLPAK
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4IBC30SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4IBC30UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4MC40U | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4P254SPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| IRG4P254S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4IBC30S | 功能描述:IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4IBC30SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC30UD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4IBC30UDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4IBC30W | 功能描述:IGBT WARP 600V 17A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。