- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384500 > IRG4PC30WPBF (International Rectifier) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRG4PC30WPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管 |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | IRG4PC30WPBF |
!
!
"
#
%&'
(
*&"&+,
$
$
)
!-
.
#
#
/0
/0
#1%
#1%
!
2
!
3%.
5%*
5%67!
/;6 /
4!
89 98!97:
9
!
<7=8!9!>=:
IRG4PC30WPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
PD - 94924
E
C
G
n-channel
TO-247AC
!"!#
$%&'!
()*+
()*+
! ,
(
(!#
-'+.$%"/0
11!
- #
.$%2
(!!!
! !"
!334%%"/0
=
56
7.$6,
7.89
*
θ
*
θ
*
θ
B
www.irf.com
.
56@6(57
."<6,%
B+
!9
92
AB
2
89!:
8C:
B
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4PC40UDPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRG4PC50FD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) |
| IRG4PC50KD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) |
| IRG4PC50UD | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) |
| IRG4PC50F | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRG4PC40 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) |
| IRG4PC40F | 功能描述:IGBT FAST 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4PC40FD | 功能描述:IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4PC40FD-E | 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 49.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DIS |
| IRG4PC40FDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Fast 1-8kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。