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參數資料
型號: IRG4PC50KDPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復二極管
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 654K
代理商: IRG4PC50KDPBF
www.irf.com
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IRG4PC50KDPbF
PD- 95235
05/04/04
Lead-Free
相關PDF資料
PDF描述
IRG4PC50KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PC50SPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC50UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
IRG4PC50WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PC60UPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT
相關代理商/技術參數
參數描述
IRG4PC50KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 52A
IRG4PC50S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PC50SDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PC50S-P 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT, DC Collector Current:70A, Collector Emitter Voltage Vces:600V, Power Dissi
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