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參數資料
| 型號： | IRG4PH20K |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.17V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 5.0a中） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 229K |
| 代理商： | IRG4PH20K |
V
CES
= 1200V
V
CE(on) typ.
= 3.17V
@V
GE
= 15V, I
C
= 5.0A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-to-Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 sec.
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
Max.
1200
11
5.0
22
22
10
±20
130
60
24
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
A
μs
V
mJ
W
-55 to +150
°C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)
10 lbfin (1.1Nm)
IRG4PH20K
Short Circuit Rated
UltraFast IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
PD -91776
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
6 (0.21)
Max.
2.1
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
www.irf.com
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°C/W
g (oz)
Thermal Resistance
TO-247AC
E
C
G
n-channel
Features
High short circuit rating optimized for motor control,
t
sc
=10μs, V
CC
= 720V , T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
Combines low conduction losses with high
switching speed
Latest generation design provides tighter parameter
distribution and higher efficiency than previous
generations
Benefits
As a Freewheeling Diode we recommend our
HEXFRED
TM
ultrafast, ultrasoft recovery diodes for
minimum EMI / Noise and switching losses in the
Diode and IGBT
Latest generation 4 IGBT's offer highest power
density motor controls possible
1
6/25/98
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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