- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄360954 > IRGDDN200M12 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRGDDN200M12 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 420A一（c） |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 388K |
| 代理商： | IRGDDN200M12 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGDDN300M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
| IRGRDN200M12 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 420A I(C) |
| IRGRDN300M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
| IRGRDN600M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
| IRGDDN600M06 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 800A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRGDI520S02 | 功能描述:整流器 250 Volt IRCI RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| IRGI4045DPBF | 功能描述:IGBT 600V 11A W/DIO TO-220AB FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRGI4045DPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT 600V |
| IRGI4055PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 300V 36A 3PIN TO-220AB FULLPAK - Bulk |
| IRGI4056DPBF | 功能描述:IGBT 18A 600V W/DIO TO-220FP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。