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參數資料
| 型號： | IRGPC30KD2 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復二極管的絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）的超快軟恢復二極管（帶超快軟恢復二極管的絕緣柵雙極型晶體管） |
| 文件頁數： | 7/9頁 |
| 文件大小： | 146K |
| 代理商： | IRGPC30KD2 |
Fig. 14
- Typical Reverse Recovery vs. di
f
/dt
Fig. 15
- Typical Recovery Current vs. di
f
/dt
Fig. 16
- Typical Stored Charge vs. di
f
/dt
Fig. 17
- Typical di
(rec)M
/dt vs. di
f
/dt
IRGPC30KD2
0
200
400
600
100
1000
di /dt - (A/μs)
R
Q
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
10
100
1000
10000
100
1000
di /dt - (A/μs)
d
I = 12A
I = 24A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
0
40
80
120
160
100
1000
dif
t
r
I = 24A
I = 12A
I = 6.0A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
1
10
100
100
1000
di /dt - (A/μs)
I
I
I = 6.0A
I = 12A
I = 24A
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| IRGPH50K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 36A I(C) | TO-247AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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