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參數(shù)資料

相關(guān)PDF資料	PDF描述
IRGPH40K	Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGPS40B120UD	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 40A I(C) \| TO-247VAR
IRGS14B40L	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 430V V(BR)CES \| 18A I(C) \| TO-252VAR
IRGTDN100M12	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C)
IRGTDN150K06	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 170A I(C)

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IRGPH50M	制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGPH50MD2	制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=23A)
IRGPH50S	制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRGPH60UD2	制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRGPS4067DPbF	功能描述:IGBT 晶體管 600V 1.6V 120A Solar UPS Welding RoHS:否制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube

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