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參數資料
| 型號： | IRHA7260 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直|第43A條（丁）|貼片 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 344K |
| 代理商： | IRHA7260 |
IRHNA7260, IRHNA8260 Devices
www.irf.com
5
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
0
40
80
120
160
200
240
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
43 A
V
= 40V
DS
V
= 100V
DS
V
= 160V
DS
Pre-Irradiation
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHA8260 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
| IRHC7110 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| IRHC7130 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
| IRHC7150 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | CHIP |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHD320CW40 | 功能描述:整流器 400 Volt 410 Amp Common Cathode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| IRHE120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | LLCC |
| IRHE130 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | LLCC |
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| IRHE3110SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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