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參數資料
| 型號： | IRHA8260 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 43A I(D) | SMT |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直|第43A條（?。﹟貼片 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 344K |
| 代理商： | IRHA8260 |
IRHNA7260, IRHNA8260 Devices
www.irf.com
7
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
19A
27A
43A
TOP
BOTTOM
Pre-Irradiation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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