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參數資料
| 型號： | IRHF53Z30 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 12A條（丁）| TO - 39封裝 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | IRHF53Z30 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHF57Z30
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
0
250
500
750
1000
1250
1500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
5.4A
9.6A
12A
TOP
BOTTOM
.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF54034 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF54Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF57034 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
| IRHF57133SE | 130V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a TO-205AF package |
| IRHF57Z30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-39 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRHF54034 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF54130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHF54214SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHF54230 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION GARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-39) |
| IRHF54230SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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