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參數資料
型號: IRL3714STRR
廠商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 20V的五(巴西)直| 36A條(丁)|對263AB
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 127K
代理商: IRL3714STRR
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 70°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
20
Units
V
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
± 20 V
36
31
140
47
33
0.31
-55 to + 175
A
W
W
W/°C
°C
www.irf.com
1
06/19/01
IRL3714
IRL3714S
IRL3714L
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
20m
V
DSS
20V
I
D
36A
Notes
through are on page 11
Absolute Maximum Ratings
D
2
Pak
IRL3714S
TO-220AB
IRL3714
TO-262
IRL3714L
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
3.2
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°
C/W
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 94175A
相關PDF資料
PDF描述
IRL3714L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A)
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IRL5NJ024 LOGIC LEVEL HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
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IRL8113LPBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRL3714Z 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3714ZHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRL3714ZL 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRL3714ZLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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