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參數資料
| 型號： | IRLD024 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.10ohm，身份證\u003d包2.5a） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | IRLD024 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI3215PBF | 68/MDR/RECP/VERT PRS FIT/M2.6/SCW/30 MIN |
| IRLI520G | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應管) |
| IRLI540NPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI640GPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLIZ34NPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRLD024_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLD024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLD110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLD110PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLD120 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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