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參數(shù)資料
| 型號： | IRLI620GPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 1422K |
| 代理商： | IRLI620GPBF |
www.irf.com
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IRLI620GPbF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRLI630G | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=6.2A) |
| IRLI640 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A) |
| IRLIB4343PBF | DIGITAL AUDIO MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI630A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRLI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLI630GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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