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參數資料
| 型號： | IRLR7807Z |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IRLR7807Z |
www.irf.com
1
4/7/03
IRLR7807Z
IRLU7807Z
HEXFET
Power MOSFET
Notes
c
through
g
are on page 11
Applications
z
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Benefits
z
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
z
Ultra-Low Gate Impedance
z
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR7807Z
I-Pak
IRLU7807Z
PD - 94662
V
DSS
R
DS(on)
max Qg (typ.)
30V
13.8m
7.0nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
c
Maximum Power Dissipation
g
Maximum Power Dissipation
g
A
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.75
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
g
°C/W
Junction-to-Ambient
40
20
Max.
30
43
f
30
f
170
± 20
0.27
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
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