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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRLU3802 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | IRLU3802 |
www.irf.com
1
8/22/02
HEXFET Power MOSFET
V
DSS
12V
R
DS(on)
max
8.5m
Q
g
27nC
Notes
through
are on page 9
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.7
40
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
I
D
@ T
C
= 100°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 100°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.59 mW/°C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
12
Units
V
Drain-Source Voltage
± 12 V
84
60
320
88
44
A
W
W
-55 to + 175
°C
Applications
High Frequency 3.3V and 5V input Point-
of-Load Synchronous Buck Converters
Power Management for Netcom,
Computing and Portable Applications.
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR3802 IRLU3802
I-Pak
IRLR3802
IRLU3802
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLU3802PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR3915 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLU3915 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLR4343 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
| IRLU4343 | DIGITAL AUDIO MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRLU3802PBF | 功能描述:MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhm 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLU3815 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-251AA |
| IRLU3915 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLU3915PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRLU4343 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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