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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS41C16256-60KI |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, MS-027, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 11/20頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-60KI |
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
11
EARLY WRITE CYCLE
(
OE
= DON'T CARE)
t
RAS
t
RC
t
RP
t
AR
t
CAH
t
ACH
t
ASC
t
RAD
t
RAH
t
RAL
I/O
WE
ADDRESS
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RAS
Row
Column
Row
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CSH
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CAS
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CRP
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CLCH
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RCD
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t
CWL
t
RWL
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
DH
t
DS
t
DHR
Valid Data
Don’t Care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41C16256-60T | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-60TI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C1664-30T | 64K x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode |
| IS41C4100-35T | 1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode |
| IS41C44002A | 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS41C16256-60T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256-60TI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE |
| IS41C16256C-35TLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 5V, EDO 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41C16256C-35TLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M, 5V, EDO 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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