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參數(shù)資料
| 型號： | IS41C16256-60T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44 |
| 文件頁數(shù)： | 15/20頁 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IS41C16256-60T |
IS41C16256
IS41LV16256
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
15
EDO-PAGE-MODE READ-WRITE CYCLE
(LATE WRITE and READ-MODIFY WRITE Cycles)
Note:
1. t
PC
in this diagram is for LATE write cycles only, t
PC
can be measured from falling edge of
CAS
to falling edge of
CAS
, or from
rising edge of
CAS
to rising edge of
CAS
. Both measurements must meet the t
PC
specifications.
t
RASP
t
RP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Row
t
CRP
t
RCD
t
CSH
t
CP
t
CAH
t
CAS,
t
CLCH
t
RAL
t
RSH
t
CP
t
CP
t
RAH
t
RAD
t
AR
t
ASR
Column
Column
t
CAH
t
CAH
Column
t
ASC
t
ASC
t
CAS,
t
CLCH
t
CAS,
t
CLCH
OE
I/O
WE
t
ASC
t
RWD
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
AWD
t
CWD
t
DH
t
DS
t
CAC
t
CLZ
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
WP
t
RWL
Open
Open
D
IN
t
OD
D
OUT
t
OE
t
OE
t
OE
t
OD
t
OEH
t
OD
t
DH
t
DS
t
CPA
t
AA
t
CAC
t
CLZ
D
IN
D
OUT
t
DH
t
DS
t
CAC
t
CLZ
D
IN
D
OUT
t
CPA
t
AA
t
RAC
t
AA
t
PC
/ t
PRWC
(1)
Undefined
Don’t Care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS41C16256-60TI | 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IS41C16256C-35TLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 4M, 5V, EDO 動態(tài)隨機存取存儲器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS41C16257 | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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