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參數資料
型號: IS41C16256-60T
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40
封裝: 0.400 INCH, MS-24, TSOP2-40/44
文件頁數: 2/20頁
文件大小: 215K
代理商: IS41C16256-60T
IS41C16256
IS41LV16256
2
Integrated Circuit Solution Inc.
DR001-0E 01/25/2002
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
OE
WE
LCAS
UCAS
CAS
WE
O
DATA I/O BUS
COLUMN DECODERS
SENSE AMPLIFIERS
MEMORY ARRAY
262,144 x 16
R
D
CAS
CLOCK
GENERATOR
WE
CONTROL
LOGICS
OE
CONTROL
LOGIC
I/O0-I/O15
RAS
R
A0-A8
RAS
CLOCK
GENERATOR
REFRESH
COUNTER
ADDRESS
BUFFERS
相關PDF資料
PDF描述
IS41C16256-60TI 256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C1664-30T 64K x 16 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C4100-35T 1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IS41C44002A 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C44002AS(L) 4M x 4 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
相關代理商/技術參數
參數描述
IS41C16256-60TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256C 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:4Mb DRAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C16256C-35TLI 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M, 5V, EDO 動態隨機存取存儲器 35ns, 40 pin TSOP II RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41C16256C-35TLI-TR 功能描述:動態隨機存取存儲器 4M, 5V, EDO 動態隨機存取存儲器 Async,256Kx16,35ns RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS41C16257 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:256K x 16 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
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